目前,全球90%的光伏電池是晶體硅電池,且主要產(chǎn)自亞洲。面對(duì)亞洲國(guó)家在晶體硅方面的產(chǎn)能和成本優(yōu)勢(shì),歐美國(guó)家已經(jīng)或開(kāi)始將光伏產(chǎn)業(yè)的重點(diǎn)放在了薄膜發(fā)電技術(shù)。2015年5月,歐洲推出新研究項(xiàng)目Sharc25,目的是將CIGS薄膜太陽(yáng)能電池轉(zhuǎn)換效率從現(xiàn)有記錄21.7 %升高到25 %,對(duì)抗來(lái)自亞洲的晶硅組件。美國(guó)的FirstSolar公司今年在CdTe實(shí)驗(yàn)室轉(zhuǎn)化率方面刷新世界紀(jì)錄,從2014年的21%提高至當(dāng)前的21.5%,未來(lái)數(shù)年的產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)化率目標(biāo)是18.6%。相比晶體硅技術(shù),近年來(lái),薄膜技術(shù)進(jìn)步較快,未來(lái)的光伏市場(chǎng)屬于晶體硅還是薄膜,目前還很難下定論。本期數(shù)說(shuō)能源向您介紹薄膜發(fā)電技術(shù)和應(yīng)用的現(xiàn)狀。
目前已經(jīng)實(shí)現(xiàn)商業(yè)化的薄膜發(fā)電技術(shù)主要包括碲化鎘(CdTe)、銅銦鎵硒(CIGS)以及非晶硅(a-Si)等。2015年6月,中國(guó)提出要實(shí)施光伏組件“領(lǐng)跑者”計(jì)劃,引導(dǎo)光伏技術(shù)進(jìn)步和產(chǎn)業(yè)升級(jí)。多晶硅電池組件和單晶硅電池組件的轉(zhuǎn)換效率分別達(dá)到16.5%和17%以上,硅基、銅銦鎵硒、碲化鎘及其他薄膜電池組件的轉(zhuǎn)換效率分別達(dá)到12%、13%、13%和12%以上可獲得這一稱(chēng)號(hào)。但今年7月公布的第一批“領(lǐng)跑者”認(rèn)證申請(qǐng)企業(yè)清單中僅漢能一家薄膜電池企業(yè),其余22家均為晶硅電池企業(yè),對(duì)比懸殊。
薄膜組件市場(chǎng)份額
光伏組件產(chǎn)量自2000年以來(lái)經(jīng)歷了爆發(fā)式的增長(zhǎng),復(fù)合年均增長(zhǎng)率約為44%,薄膜發(fā)電也取得了較大的增長(zhǎng)。2014年全球光伏組件總產(chǎn)量約47.5吉瓦,其中薄膜組件、單晶硅和多晶硅的產(chǎn)量分別約為4.4、16.9和26.2吉瓦。在1990年左右,薄膜發(fā)電的市場(chǎng)占有率一度達(dá)到30%,隨后逐年下降至4%,直到2006年因晶體硅價(jià)格昂貴,薄膜電池又迎來(lái)一段較快的發(fā)展期,2009年的市場(chǎng)占有率達(dá)到16.5%,但隨著晶體硅價(jià)格從400美元/千克逐步下降到20美元/千克,薄膜電池的市場(chǎng)份額越來(lái)越小,2014年下降至9%。
技術(shù)路線預(yù)測(cè)
三類(lèi)薄膜技術(shù)之中,a-Si是2004年之前最主要的技術(shù),但在2009年之前總產(chǎn)量均未超過(guò)0.5吉瓦,2009后產(chǎn)量開(kāi)始快速增長(zhǎng),但2011年達(dá)到近1.4吉瓦的峰值后已經(jīng)連續(xù)3年產(chǎn)量下降,到2014年產(chǎn)量只有0.8吉瓦。CdTe自2004年之后產(chǎn)量取得爆發(fā)式增長(zhǎng),2007年后一直是產(chǎn)量最大的薄膜電池,同a-Si一樣也在2011年達(dá)到產(chǎn)量峰值2吉瓦,隨后經(jīng)歷2年的產(chǎn)量下降后,2014年產(chǎn)量有所回升,達(dá)到1.9吉瓦;CI(G)S在2001~2006年間幾乎停產(chǎn),自2007年后保持增長(zhǎng)態(tài)勢(shì),尤其是2011年后另兩種薄膜技術(shù)經(jīng)歷衰退的過(guò)程中,CI(G)S依然保持較強(qiáng)勁的增長(zhǎng),2013年超過(guò)a-Si成為產(chǎn)量第二高的薄膜技術(shù),2014年的產(chǎn)量為1.7吉瓦,有預(yù)測(cè)認(rèn)為CI(G)S將是最有前途的薄膜技術(shù)。
電池效率PK
盡管薄膜的效率仍然低于單晶硅(電池和組件的最高實(shí)驗(yàn)室紀(jì)錄分別是25.6%和22.9%),但CI(G)S(21.7%)和CdTe(21.5%)電池的實(shí)驗(yàn)效率已經(jīng)超過(guò)多晶硅(20.8%),組件的紀(jì)錄也均達(dá)到了17.5%,與多晶硅組件的18.5%的差距已經(jīng)縮小。a-Si的電池和組件最高記錄則分別達(dá)到了10.9%和13.4%。
自1992年以來(lái),多晶硅和單晶硅的轉(zhuǎn)換效率基本穩(wěn)定,僅有很小的提升。CI(G)S和CdTe的進(jìn)步則非常顯著,從15%左右,提升至20%左右,尤其是CI(G)S在2010年后的進(jìn)步非常快。
此外,聚光太陽(yáng)能電池主要材料是耐高溫的砷化鎵(GaAs),盡管轉(zhuǎn)換效率高(聚光三結(jié)和四結(jié)太陽(yáng)能電池的轉(zhuǎn)換效率已達(dá)到44.4%和46%),但主要適用于年均太陽(yáng)直接輻射非常高(超過(guò)2000千瓦時(shí)/平方米)的地區(qū)(如撒哈拉沙漠、澳大利亞內(nèi)陸等),由于只能利用直射光,且散熱問(wèn)題尚需解決,因此目前仍然難以量產(chǎn),商業(yè)化還不夠成熟,全球的并網(wǎng)總量?jī)H330 兆瓦。